特許
J-GLOBAL ID：200903017719568403
超電導構造体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247087
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074989
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 下側の酸化物超電導体層による界面の構造的な安定性、ひいては電気特性等の物性の安定性を高めることによって、素子特性およびその再現性等の向上を図る。【解決手段】 下部超電導電極2、非超電導酸化物からなる非超電導層4、および上部超電導電極5を順に積層した積層膜を具備する超電導素子等の超電導構造体において、接合部分の下側に位置する下部超電導電極2を構成する酸化物超電導体に、上側に位置する上部超電導電極5を構成する酸化物超電導体より分解反応開始温度が高い物質を用いる。例えば、下部超電導電極2にNdBa2 Cu3O7 系を用い、上部超電導電極5にYBa2 Cu3 O7 系を用いる。
請求項（抜粋）：
複数の酸化物超電導体層と、前記複数の酸化物超電導体層間に介在された非超電導酸化物層との積層膜を具備する超電導構造体において、前記非超電導酸化物層を介して配置された前記複数の酸化物超電導体層のうち、下側に位置する酸化物超電導体層を構成する物質は、上側に位置する酸化物超電導体層を構成する物質より高い分解反応開始温度を有することを特徴とする超電導構造体。
IPC (6件)：
H01L 39/02 ZAA
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C30B 29/22 501
, H01L 39/24 ZAA
, H01L 39/24
H01L 39/02 ZAA D
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00 ZAA
, C30B 29/22 501 N
, H01L 39/24 ZAA J
, H01L 39/24 ZAA D
