非晶質シリコン太陽電池基板用絶縁性金属箔帯およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-114808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298204
出願日： 2000年04月17日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】テクスチャー効果により高い光電変換効率を示し、微量の塗料で高精度の膜厚に制御でき、ピンホール等の欠陥がなく、高い絶縁性を有する皮膜を形成した非晶質シリコン太陽電池基板用絶縁性金属箔帯およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の非晶質シリコン太陽電池基板用絶縁性金属箔帯は、厚さ10〜200μmの金属箔帯の片面に、ポリエーテルサルフォン樹脂を主成分とし、平均粒径3〜30nmの顔料を固形分に対して5〜40体積%配合した塗料により絶縁皮膜を形成した。また、ポリエーテルサルフォン樹脂系塗料を、版溝形状が螺旋状でロール長手方向の版溝密度が均一な版胴ロールを用い、グラビア方式又はオフセット方式によるロールコータで塗布し、焼成して厚さ1〜20μmの絶縁皮膜を形成する製法として、塗料塗布前の金属箔帯を、有機溶剤又はアルカリ溶液で脱脂又は、酸洗処理してもよい。さらに、脱脂または酸洗後、塗布型クロメート処理してもよい。

請求項（抜粋）：

厚さ10〜200μmの金属箔帯の片面に、ポリエーテルサルフォン樹脂を主成分とし、平均粒径3〜30nmの顔料を固形分に対して5〜40体積%配合した塗料により絶縁皮膜を形成することを特徴とする非晶質シリコン太陽電池基板用絶縁性金属箔帯。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , C23C 26/00

FI (2件)：

C23C 26/00 A , H01L 31/04 M

Fターム (15件)：

4K044AB02 , 4K044BA15 , 4K044BA21 , 4K044BB01 , 4K044BB03 , 4K044BB11 , 4K044BC14 , 4K044CA04 , 4K044CA16 , 4K044CA53 , 5F051AA05 , 5F051GA03 , 5F051GA05 , 5F051GA06 , 5F051GA16

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