高周波電力増幅器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140129
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332551
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 HBTで構成されたバイアス回路と共にバイアススイッチ回路をHBTで形成することによって、HBTで構成されたMMICで集積化を行うことができるデュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器を得る。【解決手段】 HBTで構成された第1バイアス回路3及び第2バイアス回路5の切り換えを行うバイアススイッチ回路6を、従来から広く使用されているAlGaAs又はGaAs系HBTで形成すると共に、該HBTを3つ以上直列に接続して各ベース-エミッタ間電圧Vbeの合計が3Vを超えないように形成した。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの電力増幅用HBTで構成された2つの電力増幅器と、HBTで構成され該各電力増幅器に対応して設けられた各バイアス回路と、外部からの信号に応じて該各バイアス回路に対する動作の切り換えを排他的に行うバイアススイッチ回路とを備えた、デュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器において、上記バイアススイッチ回路は、上記各バイアス回路の動作制御を行う外部からの信号Vpcにおける一方のバイアス回路への出力制御を行う、HBTで構成された第1スイッチング手段と、上記外部からの信号Vpcの他方のバイアス回路への出力制御を行う、HBTで構成された第2スイッチング手段と、外部から入力される第1スイッチング手段の動作制御を行うための制御信号Vmodに応じて第2スイッチング手段の動作制御を行い、上記第1及び第2スイッチング手段を排他的に選択して動作させる、HBTで構成された第3スイッチング手段と、を備えることを特徴とする高周波電力増幅器。

IPC (5件)：

H03F 3/70 , H03F 1/52 , H03F 3/19 , H03F 3/68 , H04B 1/04

FI (5件)：

H03F 3/70 , H03F 1/52 Z , H03F 3/19 , H03F 3/68 Z , H04B 1/04 A

Fターム (65件)：

5J069AA01 , 5J069AA21 , 5J069AA41 , 5J069AA51 , 5J069CA56 , 5J069CA91 , 5J069CA92 , 5J069FA18 , 5J069FA20 , 5J069HA06 , 5J069HA24 , 5J069HA25 , 5J069HA39 , 5J069KA12 , 5J069KA29 , 5J069SA13 , 5J069TA01 , 5J069TA02 , 5J091AA01 , 5J091AA21 , 5J091AA41 , 5J091AA51 , 5J091CA56 , 5J091CA91 , 5J091CA92 , 5J091FA18 , 5J091FA20 , 5J091HA06 , 5J091HA24 , 5J091HA25 , 5J091HA39 , 5J091KA12 , 5J091KA29 , 5J091SA13 , 5J091TA01 , 5J091TA02 , 5J092AA01 , 5J092AA21 , 5J092AA41 , 5J092AA51 , 5J092CA56 , 5J092CA91 , 5J092CA92 , 5J092FA18 , 5J092FA20 , 5J092HA06 , 5J092HA24 , 5J092HA25 , 5J092HA39 , 5J092KA12 , 5J092KA29 , 5J092SA13 , 5J092TA01 , 5J092TA02 , 5K060BB00 , 5K060CC04 , 5K060CC12 , 5K060DD04 , 5K060EE05 , 5K060HH06 , 5K060HH39 , 5K060JJ02 , 5K060JJ08 , 5K060JJ23 , 5K060LL01

引用特許：

出願人引用 (4件)

複数バンド増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-145658 出願人：アナディジックス,インコーポレーテッド
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-220317 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
高周波増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-293565 出願人：日本電気株式会社

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