特許
J-GLOBAL ID：200903017724290359
ダブルヘテロ構造高電子移動度トランジスタおよびその製造方法、並びに該トランジスタ用ウエハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-192423
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012834
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 平坦なヘテロ界面を有し、優れた高周波特性、高出力特性を備えたInGaAsチャネルのダブルへテロ構造高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】 AlGaAsバッファ層とInGaAsチャネル層との間に、該チャネル層からの距離dが1〜50nmとなるように、InGaAs薄層又はGaAs薄層を設ける。
請求項（抜粋）：
少なくともGaAs半導体基板上に形成されたAlGaAsバッファ層と、該バッファ層上に順次積層形成された下部AlGaAs電子供給層、下部AlGaAsスペーサ層、InGaAsチャネル層、上部AlGaAsスペ-サ層、上部AlGaAs電子供給層と、を備え、該チャネル層と該スペーサ層とのヘテロ界面に沿って、該チャネル層内を電子が走行するトランジスタであって、更に、上記チャネル層と上記バッファ層との間に、該チャネル層からの距離dが50nm以下となるように、InGaAs薄層又はGaAs薄層が設けられたことを特徴とするダブルヘテロ構造高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GK05
, 5F102GK06
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM06
, 5F102GN05
, 5F102GQ02
, 5F102GQ03
, 5F102HC01
