特許

J-GLOBAL ID：200903017724619202

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 碓井 薫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038689
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236504
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 ウエハの設置間隔を狭くしてもプラズマ処理速度が低下し難い半導体製造装置を提供する。【構成】 内部空間を有する処理容器と、前記内部空間を、プラズマを発生するためのプラズマ発生空間と処理対象物を配置してプラズマ処理するための処理空間とに仕切り、該2つの空間の間で相互にガスが輸送されるようにガス透過孔が形成されている仕切り手段と、前記内部空間内に配置され、処理ガスを前記処理空間に向かって噴き出すガス導入手段と、前記内部空間から処理ガスを排気するためのガス排気手段とを有する。

請求項（抜粋）：

内部空間を有する処理容器と、前記内部空間を、プラズマを発生するためのプラズマ発生空間と処理対象物を配置してプラズマ処理するための処理空間とに仕切り、該2つの空間の間で相互にガスが輸送されるようにガス透過孔が形成されている仕切り手段と、前記内部空間内に配置され、処理ガスを前記処理空間に向かって噴き出すガス導入手段と、前記内部空間から処理ガスを排気するためのガス排気手段とを有する半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 L