特許

J-GLOBAL ID：200903017727512166

単一ウエーハ半導体処理装置用プログラム可能な多ゾーンガス注入器

発明者： メールダッド エム.モスレヒ ,  セシル ジェイ.デビッド ,  ロバート ティー.マチューズ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029566
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045266
出願日： 1993年01月04日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体製造装置内のウエーハ上のプロセスを均一にするために、温度分布を故意にゆがめることなく、ガスの流れパターンや反応物の物質輸送分布を実時間で調整し制御できるガス注入器を開示する。【構成】 単一ウエーハ半導体処理装置(10)用のプログラム可能な多ゾーン流体注入器(12)であって、複数のオリフィス(22,24,30)を備え、多数の別個のゾーン(24,28,32)に分割される。これらのゾーンは通路(34,38,42)と導管(36,40,44)によってプロセス流体源に接続される。個別の各導管(36,40,44)は少なくとも1個の流量制御装置を備え、前記各ゾーンへのプロセス流体の量と比率を独立に制御する。前記流量制御装置は入力信号に応答して、前記オリフィスからの流体流量を前記プロセス室(10)内で所定の流れパターンに保持することができる。

請求項（抜粋）：

多ゾーンガス注入器であって、ウエーハに隣接して設けられるシャワーヘッド板と、前記シャワーヘッド板を貫通する複数のオリフィスと、前記オリフィスに結台される本体部材内の複数の通路とを持ち、かつ前記各通路毎に入口を持つ本体部材と前記本体部材の前記各入口に接続され、かつ少なくとも1つのプロセス流体源に接続される入力導管と、を備える、半導体処理装置用の多ゾーンガス注入器

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭56-087328
  
• 特開昭57-096666
  
• 特開平2-187018
  
• 特開平3-071624
  
• 特開平3-170675