特許
J-GLOBAL ID：200903017732165245
基準電圧回路およびそれを用いた温度検知回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-161923
公開番号（公開出願番号）：特開平10-009967
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】製造バラツキによって生じるリークパスのリーク電流のバラツキによる基準電圧出力の変動を抑制した基準電圧回路を提供する。【解決手段】演算増幅器61と、複数の抵抗62〜64と、一つの半導体基板上に形成されたダイオード接続された複数のトランジスタ65〜70と、を備えた基準電圧回路82において、上記基準電圧回路の出力電圧端と接地端の間に接続された2個の抵抗77と78の直列回路における接地端側の抵抗78の両端に、上記トランジスタを形成することによって寄生的に生じるリークパスと同じ構造のリークパス79を接続した構造を有する基準電圧回路。上記の構成により、製造バラツキに起因した不純物濃度のバラツキによってリークパスのリーク電流にバラツキが生じてもダミーリークパスがこの影響を打ち消し、リーク電流のバラツキによる基準電圧出力の変動を低減できる。
請求項（抜粋）：
一つの半導体基板上に基準電圧源と該基準電圧源の出力電圧を抵抗によって分圧する分圧回路とを有し、上記分圧回路で分圧した電圧を基準電圧として出力する回路であって、上記基準電圧源を形成することによって寄生的に生じる接合分離面のリークパスと同じ構造のダミーリークパスを上記分圧回路の分圧点と接地端との間に接続し、かつ、上記基準電圧源のリークパスと上記ダミーリークパスとを上記半導体基板上で近接して配置したことを特徴とする基準電圧回路。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01K 7/00 391 M
, G05F 3/02
, G01K 7/00 391 C
