特許
J-GLOBAL ID:200903017745186438

研磨パッド及び研磨装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP1999006179
公開番号(公開出願番号):WO2000-027589
出願日: 1999年11月05日
公開日(公表日): 2000年05月18日
要約:
【要約】本願発明は、マイクロゴムA硬度が80度以上の研磨層と体積弾性率が40MPa以上でかつ引っ張り弾性率が0.1MPa以上20MPa以下であるクッション層とを有することを特徴とする研磨パッド、及び半導体基板を研磨ヘッドに固定し、研磨定盤に該研磨パッドを研磨層が半導体基板に対向するよう固定し、前記研磨ヘッド或いは研磨定盤或いはその双方を回転させて前記半導体基板を研磨することを特徴とする研磨装置に関する。本願発明により、半導体基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を研磨により平滑にする機械的な平坦化工程で使用するための研磨装置または研磨パッドにおいて、半導体基板全面が均一に平坦化されまたウェーハエッジ近くまで均一な研磨が達成でき、さらにプラテン回転速度が高い条件で均一性と平坦性の両立をはかる技術を提供するできる。
請求項(抜粋):
マイクロゴムA硬度が80度以上の研磨層と体積弾性率が40MPa以上でかつ引っ張り弾性率が0.1MPa以上20MPa以下であるクッション層とを有することを特徴とする研磨パッド。
IPC (1件):
B24B 37/00

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