半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中川周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-078663
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321592
出願日： 1996年04月01日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課題】ポリシリコン層で電荷貯蔵電極を形成し、その上部及び側壁に白金層を形成する。【解決手段】半導体素子の電荷貯蔵電極の有効表面積を増加し、高誘電絶縁膜の電気的特性劣化を防止できる半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法を提供することにその目的がある。

請求項（抜粋）：

半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法において、接合部が形成されたシリコン基板上に絶縁層を形成した後、上記接合部が露出されるように、上記絶縁部をエッチングして、電荷貯蔵電極用コンタクトホールを形成し、全体の上部面にポリシリコン層を形成する段階と、上記段階から、第1バリヤ金属層及び第1白金層を順次に形成する段階と、上記段階から、電荷貯蔵電極を形成するため、部分エッチング工程により、上記第1白金層、第1バリヤ金属層及びポリシリコン層をパターニングする段階と、上記段階から、全体の上部面に、第2バリヤ金属層及び第2白金層を順次に形成する段階と、上記段階から、側壁の第2白金層をスペーサ形態で残留するように、上記第2白金層と第2バリヤ金属層を順次に全面エッチングする段階と、上記段階から、上記第2バリヤ金属層の露出された部分を、所定の深さにエッチングする段階で成ることを特徴とする半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-270168
キャパシタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-091618 出願人：沖電気工業株式会社

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