特許
J-GLOBAL ID：200903017755401833
半導体集積回路用基板およびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102720
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061235
出願日： 1992年04月22日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】デバイスの高電気的信頼度、高歩留まり可能なSOI構造の半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。【構成】ウェハ貼り合わせ技術を用いて、SOI構造の半導体集積回路用基板の埋込酸化膜の直上に高濃度インプラ層、多結晶シリコン層等のゲッタリング層を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体支持基板と、前記半導体支持基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、かつ、半導体素子が形成されるべき半導体薄膜層とを有する半導体集積回路用基板において、前記絶縁層と前記半導体薄膜層との接合界面にゲッタリング層が設けられていることを特徴とする半導体集積回路用基板。
IPC (2件)：
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