特許

J-GLOBAL ID：200903017760242476

半導体装置の位置検出用マークの形成方法

発明者： 小野澤 幸子 ,  角谷 昌紀
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245994
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111451
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】 マーク形成用のマスクの作製作業に要する労力および時間を削減でき、かつマーク形成作業を簡易に行えるマークの形成方法を提供すること。【構成】 まず、半導体装置のパターンが形成された第1マスクを用いて、所定の露光ピッチでウエハ1表面に半導体装置2をパターンニングする。その後、半導体装置2のウエハ内位置検出用のマークのパターンが形成された第2マスク20を用いて、所定の露光ピッチとは異なる露光ピッチでウエハ1表面にマーク3をパターンニングする。

請求項（抜粋）：

ウエハを複数の半導体装置に切断した後、切断する前の該半導体装置のウエハ内位置を検出するためのマークを前記半導体装置に形成するマークの形成方法において、前記半導体装置のパターンが形成された第1マスクを用いて、所定の露光ピッチでウエハ表面に前記半導体装置をパターンニングした後、前記マークのパターンが形成された第2マスクを用いて、前記所定の露光ピッチとは異なる露光ピッチでウエハ表面に前記マークをパターンニングすることを特徴とする半導体装置の位置検出用マークの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 311 ,  H01L 21/304 ,  H01L 23/00