特許
J-GLOBAL ID：200903017760958420
MOS型半導体装置におけるゲート酸化膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092209
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283712
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 パイロジェニック酸化法において、TDDB特性の優れたゲート酸化膜を形成するための最適な酸素分圧を明かにする。【構成】 酸化炉内での水蒸気分圧が0.1〜0.3気圧となるように、酸化炉入口にあるバーナに供給する水素ガスと酸素ガスの流量を調節する。
請求項（抜粋）：
入口に水素を燃焼させて水を生成するバーナが設けられている酸化炉内に半導体ウエハを収容し、前記バーナに水素ガスと酸素ガスを供給し、酸素中に水蒸気を含むガスとして前記酸化炉に供給して前記半導体ウエハにゲート酸化膜を形成する方法において、前記酸化炉内での水蒸気分圧が0.1〜0.3気圧となるように前記バーナに供給する水素ガスと酸素ガスの流量を調節することを特徴とするゲート酸化膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/316
