特許
J-GLOBAL ID：200903017761345066
6族元素含有半導体材料の微細加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033171
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234958
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、炭化水素系ガスでメタンより分子量の大きなものを使用することにより、エッチング速度が遅く、基板に与えるダメージが小さく、加工形状、特に垂直性の優れた6族元素含有半導体材料のエッチング方法を提供することにある。【構成】 本発明に係る半導体材料の微細加工方法は、反応性ガスを用いる6族元素含有半導体材料のエッチング法において、反応性ガスとしてエタンガスと水素ガスとを含んだ混合ガスを用いることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
反応性ガスを用いる6族元素含有半導体材料のエッチング法において、反応性ガスとしてエタンガスと水素ガスとを含んだ混合ガスを用いることを特徴とする6族元素含有半導体材料の微細加工方法。
引用特許：
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