特許
J-GLOBAL ID：200903017761776130
ホトマスク及びマスクパタンデータ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
澤井 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070786
公開番号（公開出願番号）：特開平6-067403
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】多重転写法におけるマスクパターンの容易な自動生成を可能とし、さらに複数マスク間における位置合わせずれの影響を減少させるマスクパターンを提供する。【構成】位相シフトパタン1500を含むマスクM1を用いた露光と、それによる不要なパタンを消去する露光を含む複数回露光のパタン形成において、露光領域を位相シフタが必要な微細パタン1100を有する領域とそうでない領域3に分割し103、1枚のマスクはシフタを設け、領域1では、微細パタンに対応したエッジを持つマスクシフタパタンと他のパタン1600に対応したパタンを持ち、領域3は遮蔽するマスクパタンとし、シフタなしの別の1枚のマスクは、領域3に存在するパタン2600を形成する通常のパタンと、シフタ形成領域のパタンで不要なパタンを除去するためのパタンをもたせるように自動生成する。さらに、1枚のマスクではマスクパタンを一つの軸方向に太らせ、他のマスクでは直交する方向にマスクパタンを太らせる。
請求項（抜粋）：
形成しようとする微細パタンの両側を透過する光の位相差をおおよそπとするように位相をシフトさせるパタンを含むマスクを用いた露光と、それにより生じる不要なパタンを消去するための露光を含む複数回の露光により、一つの層のパタンを形成するパタン形成において、前記微細パタンを形成するため位相差のある光が透過するために必要となる第1の領域を設定する第1の工程と、形成する全パタンあるいは前記微細パタンを除く全パタンを前記第1の領域の内と外とに分離する第2の工程を含むことを特徴とするマスクパタンデータ処理方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 L
