特許
J-GLOBAL ID：200903017768561180
蓄積リング型自由電子レーザー装置とその高輝度化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-055106
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244109
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【要約書】【課題】 Qスイッチを行う場合でも狭いパルス幅及び線幅で自由電子レーザーのミクロパルスを成長させることができる蓄積リング型自由電子レーザーとその高輝度化方法を提供することを目的とする。【解決手段】 Qスイッチ時に2段階以上の利得制御を行うことにより、バンチ加熱によるエネルギー拡がりの特徴をうまく利用し、Qスイッチを行う場合でも狭いパルス幅及び線幅で自由電子レーザーのミクロパルスを成長させ、より強いピーク出力と狭い線幅を得る手段を採用する。具体的には、大略、有効利得をある時間一定に保つプレナローイング(pre-narrowing)の手法を用いる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
共振経路中に光量を調節するチョッパーを備え、電子ビームの供給経路に高周波空洞を有する光共振器からなる蓄積リング型自由電子レーザー装置において、
蓄積リングにおける電子ビームの電流値を検出して自由電子レーザーの利得を求め、前記利得と一定の有効利得の偏差に応じてチョッパーの開口量を変えて、共振器内の光量を調節するようにしたことを特徴とする蓄積リング型自由電子レーザー装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F172AG01
, 5F172CC01
, 5F172NN13
, 5F172NN22
, 5F172NQ16
, 5F172NQ70
