特許
J-GLOBAL ID：200903017770270494
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175397
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021439
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】バンプ電極及びその周辺部の保護膜の形成を含む半導体装置の製造方法に関し、製造上の問題の発生を防止しつつ、バンプ電極と下地の接続すべき金属層との間の密着性を容易に向上することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】基板上の金属膜を電気メッキの電極として、金属膜上にバンプ電極26を選択的に形成する工程と、バンプ電極26を被覆して、耐エッチング性膜27を選択的に形成した後、耐エッチング性膜27をマスクとして金属膜を選択的にエッチングし、バンプ電極26の周辺部にのみ金属膜を残存する工程と、耐エッチング性膜27を除去した後、層間絶縁膜28を形成する工程と、層間絶縁膜28上にレジスト膜29を形成した後、エッチバックして、バンプ電極26の頂部の層間絶縁膜28を除去する工程と、残存するレジスト膜29を除去する工程とを含み構成する。
請求項（抜粋）：
基板を被覆して金属膜を形成した後、前記金属膜を電気メッキの電極として、前記金属膜上に配線層を選択的に形成する工程と、前記配線層を被覆して層間絶縁膜を形成した後、前記配線層上の層間絶縁膜に開口部を形成するとともに、前記配線層の周辺部の前記金属膜を表出するように前記層間絶縁膜を除去する工程と、前記配線層表面が露出するような開口部を有するレジスト膜を形成した後、前記金属膜を電気メッキの電極として、前記レジスト膜の開口部内の前記配線層上にバンプ電極を選択的に形成する工程と、前記レジスト膜を除去した後、前記バンプ電極及び層間絶縁膜をマスクとして前記金属膜をエッチング・除去し、前記バンプ電極及び層間絶縁膜の下と、該バンプ電極及び層間絶縁膜の周辺部とにのみ前記金属膜を残存する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/321
, H01L 21/288
, H01L 21/312
