特許

J-GLOBAL ID：200903017780302793

ZnO薄膜形成方法

発明者： 速水 俊一 ,  川合 知二 ,  田畑 仁
出願人/特許権者： ミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217099
公開番号（公開出願番号）：特開平9-059762
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：

【要約】【課題】 配向性が優れているZnO薄膜をガラス基板上に形成する。【解決手段】 ガラス基板16の温度を200〜700°Cの範囲内で任意に設定し、かつ成膜室10内の酸素ガス圧を7×10-5〜1×10-2Torrの範囲内で任意に設定する。レーザ光Lは窓部11から成膜室10へ導入され、ZnOターゲット15を照射する。ターゲット15はレーザ光の照射によって成膜材料(中性原子、分子、イオン)を放出し、これらの成膜材料はガラス基板16上に堆積/結晶化してZnO薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

レーザアブレーション法によって基板上に成膜材料を堆積/結晶化して薄膜を形成する方法において、ガス圧が7×10-5〜1×10-2Torrの酸素ガス雰囲気中で、ZnOターゲットから放出された成膜材料を、基板温度が200〜700°Cのガラス基板上に到達させ、このガラス基板上にZnO薄膜を形成することを特徴とするZnO薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/08 ,  C03C 17/245 ,  C23C 14/28

FI (3件)：

C23C 14/08 C ,  C03C 17/245 A ,  C23C 14/28