特許
J-GLOBAL ID：200903017781836350
レジストパターンの形成方法および該方法に用いられる反射防止膜形成用有機シラン化合物
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199603
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047656
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、遠紫外光を用いるリソグラフィにより、基板の上にレジストパターンを形成する方法において、基板の上に段差があっても、寸法制御性よくレジストパターンを形成することができ、かつ下地基板のエッチングを寸法制御性よく行なうことができるように改良されたレジストパターン形成方法を得ることを最も主要な特徴とする。【構成】 基板の表面に反射防止膜を形成するための有機シラン化合物であって、シリコン原子と、上記シリコン原子に結合され、上記半導体基板と当該有機シラン化合物とを共有結合で結ぶために上記半導体基板の表面に存在する水酸基と置換され得る脱離基と、上記遠紫外光を吸収する置換基と、を含む有機シラン化合物を準備する。基板の上に上記有機シラン化合物を塗布する。上記有機シラン化合物が塗布された上記基板の上にレジストを塗布する。上記レジストを遠紫外光を用いて選択的に露光する。上記レジストを現像する。
請求項（抜粋）：
遠紫外光を用いるリソグラフィにより、基板の上にレジストパターンを形成する方法であって、基板の表面に反射防止膜を形成するための有機シラン化合物であって、シリコン原子と、前記シリコン原子に結合され、前記基板と前記有機シラン化合物とを共有結合で結ぶために前記基板の表面に存在する水酸基と置換される脱離基と、前記シリコン原子に結合され、前記遠紫外光を吸収する置換基と、を含む有機シラン化合物を準備する工程と、前記基板の上に前記有機シラン化合物を塗布する工程と、前記有機シラン化合物が塗布された前記基板の上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを前記遠紫外光を用いて選択的に露光する工程と、前記レジストを現像する工程と、を備える、レジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
