特許
J-GLOBAL ID：200903017785279030
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283870
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102178
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 ベース層を低温で成長させた際にベース層に品質の劣化が生じなく、その結果、ベース層中の少数電子の再結合の割合を低減でき、且つ高い電流利得が得られるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【構成】 半導体基板2上に化合物半導体層から成るエミッタ層8、ベース層7、およびコレクタ層5が形成され、且つベース層7に炭素(C)が混入されたヘテロ接合バイポーラトランジスタ1において、ベース層7がIn<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>As<SB>Y </SB>P<SB>1-Y </SB>(0≦X<1、0<Y≦1)から成ることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に化合物半導体層から成るエミッタ層、ベース層、およびコレクタ層が形成され、且つ前記ベース層に炭素(C)が混入されたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記ベース層がIn<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>As<SB>Y </SB>P<SB>1-Y </SB>(0≦X<1、0<Y≦1)から成ることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
