特許
J-GLOBAL ID：200903017788981320
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-254027
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094985
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【構成】配線用の金メッキ膜17の側面にチタン膜22を設けた後、チタン膜22及び被メッキ用金膜14をスパッタエッチングすることにより配線用の金メッキ膜17の側面と再付着金膜との間にチタン膜23を設ける。【効果】接着性に優れたチタン膜を配線用の金メッキ膜の側面と再付着金膜との間に配置することにより再付着金膜の配線側面への接着強度が大幅に改善され、再付着膜剥離による配線間短絡問題が解決される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介してバリア及び接着用の第1の金属膜と被メッキ用の第2の金属膜と接着性の高い第3の金属膜を順次形成する工程と、前記第3の金属膜をエッチングし配線形成領域の前記第2の金属膜を露出させる工程と、エッチングした前記第3の金属膜上にマスクを形成したのち電解メッキ法により露出した前記第2の金属膜上に配線用金属膜を形成する工程と、このマスクを除去したのち前記配線用金属膜をマスクとし前記第3の金属膜と第2の金属膜及び第1の金属膜をドライエッチング法によりエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
