特許

J-GLOBAL ID：200903017791273078

光電変換装置

発明者： 岡本 浩二 ,  奥野 哲啓 ,  中嶋 一孝 ,  横沢 雄二
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175019
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021821
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 光発生キャリアの表面再結合と光発生キャリアの集電に伴う抵抗を低減し、高効率化を図る。【構成】 N型拡散層1上に約10〜20Åの厚さのシリコン酸化膜2を形成し、該シリコン酸化膜2上にフッ素をドープした低抵抗のSnO2膜3を形成し、該SnO2膜3上にAg表面電極5を形成する。

請求項（抜粋）：

光電変換部となる半導体層の受光面側表面にシリコン酸化膜が形成され、該シリコン酸化膜上に透明導電膜が形成されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-130483
  
• 特開昭55-121687
  
• 特開昭56-004287