特許
J-GLOBAL ID：200903017791993593

平面薄膜型SQUID微分型磁束センサ及びそれを用いた非破壊検査用装置

発明者：
廿日出 好

廿日出 好 について

, 
田中 三郎

田中 三郎 について


出願人/特許権者：
国立大学法人豊橋技術科学大学

国立大学法人豊橋技術科学大学 について


代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-148052
公開番号（公開出願番号）：特開2006-322886
出願日： 2005年05月20日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】ジョセフソン接合での磁束トラップが発生しにくい特殊な構造を有する平面薄膜型SQUID微分型磁束センサ及びそれを用いた非破壊検査用装置を提供する。【解決手段】 平面薄膜型SQUID微分型磁束センサにおいて、磁界微分を計測する一次以上の微分型磁束検出コイルを有する平面薄膜型SQUID微分型磁束センサにおいて、励磁磁場の方向と、SQUIDリング中のジョセフソン接合部に流れるバイアス電流の方向が平行になるようにSQUIDリング部と磁束検出コイルを直接結合させることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁界微分を計測する一次以上の微分型磁束検出コイルを有する平面薄膜型SQUID微分型磁束センサにおいて、励磁磁場の方向と、SQUIDリング中のジョセフソン接合部に流れるバイアス電流の方向が平行になるようにSQUIDリング部と磁束検出コイルを直接結合させることを特徴とする平面薄膜型SQUID微分型磁束センサ。
IPC (2件)：
G01N 27/72 ,  G01R 33/035
FI (2件)：
G01N27/72 ,  G01R33/035
Fターム (13件)：
2G017AA04 ,  2G017AD32 ,  2G053AA11 ,  2G053AB01 ,  2G053BA15 ,  2G053BB11 ,  2G053BC10 ,  2G053BC11 ,  2G053BC14 ,  2G053CA03 ,  2G053CA10 ,  2G053DA01 ,  2G053DA10
引用特許：
出願人引用 (9件)
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