特許

J-GLOBAL ID：200903017793429873

粒状磁気抵抗膜及び形成方法

発明者： ケビン・ロバート・コフェイ ,  ジェームス・ケント・ハワード ,  トッド・ラニア・ヒルトン ,  マイケル・アンドリュー・パーカー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-134650
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058375
出願日： 1994年06月16日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 強磁性物質の分離粒子が非磁性導電マトリックスに埋込まれた単層不連続磁性膜を提供する。【構成】 ヘテロ薄膜構造は、絶縁基板上に被着され、非磁性導電物質の層で覆われた強磁性物質の不連続層を含み、飽和磁界にて350エルステッドのオーダの巨大磁気抵抗を示す。強磁性物質の層が、高真空蒸着法により、加熱された絶縁基板上に被着され、分離した強磁性粒子の層が形成され、非磁性導電物質で覆われて、非磁性導電マトリックスに埋込まれた複数の強磁性粒子が形成される。強磁性物質の非磁性物質は個別に被着されるので、この2つの物質を混合不能とする必要はなく、相分離を誘発するための後のアニール処理も必要ない。

請求項（抜粋）：

粒状磁気抵抗膜を形成する方法であって、非導電基板上に強磁性物質の不連続層を形成するステップと、非磁性導電物質の層を上記強磁性物質の不連続層上に被着することによって、非磁性導電物質のマトリックスに複数の強磁性粒子が埋込まれたヘテロ膜を形成するステップと、を含む方法。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  C23C 14/14 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-068706