特許

J-GLOBAL ID：200903017793488268

ドライエッチング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-043783
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160081
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 レジスト・マスクを使用しないドライエッチングを、工程数の増加やウェハの表面段差の増大を招くことなく実現する。【構成】 従来からゲート電極材料やAl配線材料の表面に形成されている窒素化合物系の薄い反射防止膜をエッチング・マスクとして使用可能とするために、イオウ系化合物を含むエッチング・ガスを用いる。たとえば、TiON反射防止膜パターン6aをマスクとし、S2 F2 /H2 混合ガスを用いてWポリサイド膜5をエッチングすると、該TiON反射防止膜パターン6a中のN原子とS2 F2 から放出されたS原子とが結合してポリチアジル(SN)x が生成し、マスク表面が保護される。パターン側壁部はSで保護される。つまり、対マスク選択比の高い条件で異方性エッチングが可能となる。レジスト材料由来の炭素による汚染が防止できる。

請求項（抜粋）：

被エッチング材料層の上に窒素を構成元素として含む窒素系化合物膜を選択的に形成する工程と、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを生成し得るイオウ系化合物を含むエッチング・ガスを用い、前記窒素系化合物膜をマスクとして前記被エッチング材料層をエッチングする工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-224240
  
• 特開平2-129917
  
• 特開平3-273624