特許
J-GLOBAL ID:200903017795960797

多層配線基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-005884
公開番号(公開出願番号):特開平5-191053
出願日: 1992年01月16日
公開日(公表日): 1993年07月30日
要約:
【要約】【目的】 この発明は、基板層上に直接薄膜から構成する電子素子を形成し、装着するチップ電子部品をなくし、電子素子の配置の自由度を高めた多層配線基板およびその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 樹脂積層配線基板1は、配線用導体6が形成された一対の樹脂基板の間にプレプリグを挟んで加熱加圧することにより、積層一体化して作製されている。この樹脂積層配線基板1上には、アルキルケイ酸塩と溶剤との混合溶液を塗布し、低温加熱して縮合硬化した絶縁保護層2が形成されている。さらに、絶縁保護層2上には、第1の電極用導体3が形成され、電子サイクロトロン共鳴化学気相成長法によりSiO2からなる誘電体絶縁薄膜4が形成され、さらに第2の電極用導体5が形成され、MIM型コンデンサが形成されている。
請求項(抜粋):
複数の基板層を積層一体化してなる多層配線基板において、前記基板層上に形成された無機材料からなる絶縁保護層と、前記絶縁保護層上に形成された薄膜から構成される電子素子とを備えたことを特徴とする多層配線基板。

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