特許
J-GLOBAL ID：200903017798091846
HgCdTe薄膜の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308248
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161737
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 HgCdTeと格子不整合・熱膨張係数差の存在する基板を使用したHgCdTe膜の成長方法において、HgCdTeへの格子歪と熱歪を緩和することのでき、かつ簡便に作製が可能なバッファ層を用いてHgCdTe層を成長する方法を提供する。【構成】 HgCdTe成長温度に近く、かつCdTe自身の結晶性を損なわない程度の低温でCdTeバッファ層3を成長することにより、降温時の熱歪を緩和することができる。又、蒸気圧の桁の異なるCdTe化合物と水銀を同時に用いることにより、水銀の濃度が20%以下のCdTeバッファ層3が容易に形成され、赤外線検出層の波長に対して透過でかつ格子歪の緩和されたバッファ層として働くことが可能となる。
請求項（抜粋）：
水銀カドミウムテルル(Hg1 - x Cdx Te)と格子不整合の大きい基板上に複数層のCdTe薄膜をバッファ層として形成し、その上に水銀カドミウムテルル薄膜を成長する方法において、水銀カドミウムテルル薄膜直下のバッファ層を230°Cから250°Cで形成することを特徴とするHgCdTe膜の成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/363
, C01G 13/00
, C30B 29/46
, H01L 21/203
