特許
J-GLOBAL ID：200903017800515896
荷電粒子ビーム露光方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260352
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198483
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 荷電粒子ビーム露光法に関し、微細な細線パターンを含む装置パターンを精密かつ迅速に露光できる露光法を提供する。【構成】 設計データから繰り返し露光される要素パターンのためのブロック露光用データと前記要素パターンとは異なる矩形の要素パターンのための可変矩形露光用データを抽出する工程と、この可変矩形露光用データから小さい細線要素パターンのための細線ブロック露光用データを抽出する工程と、これらの抽出した各露光用データに基づいてビーム整形マスク上の開口の位置、サイズ、形状の情報を含むマスクデータを抽出する工程と、このマスクデータに基づいてビーム整形マスクを作製する工程と、荷電粒子ビームを、前記各露光用データに基づいて、ブロック露光用開口、可変矩形露光用開口および細線ブロック露光用開口の一つを選択的に通すことによって装置パターンを対象物の上に露光する。
請求項（抜粋）：
(a)設計データから、複数回にわたって繰り返して露光される要素パターンのための露光データを含むブロック露光用データを抽出する工程と、(b)該設計データから、前記要素パターンとは異なる矩形の要素パターンのための露光データを含む可変矩形露光用データを抽出する工程と、(c)該可変矩形露光用データから、それ以下のサイズでは、荷電粒子ビームをビーム整形マスクに形成された開口の2つの交差するエッジにおいて、該荷電粒子ビームと該開口のオーバーラップ状態を調整することによって整形された可変矩形整形ビームによっては露光が困難な、予め定められた限界サイズよりも小さいサイズを有する細線要素パターンのための露光データを含む細線ブロック露光用データを抽出する工程と、(d)該ブロック露光用データ、該可変矩形露光用データおよび該細線ブロック露光用データに基づいて、該荷電粒子ビームを整形するための該ビーム整形マスクの構成を示す該荷電粒子ビームを整形するためのビーム整形マスクの上に形成される開口の位置、サイズおよび形状の情報を含むマスクデータを抽出する工程と、(e)該マスクデータに基づいてビーム整形マスクを作製する工程と、(f)該荷電粒子ビームを、該ブロック露光用データ、該可変矩形露光用データおよび該細線ブロック露光用データに基づいて、該ブロック露光用開口、可変矩形露光用開口および細線ブロック露光用開口の一つを選択的に通すことによって該回路パターンを露光する工程と、を有する複数の要素パターンによって構成される露光されるべき回路パターンを表す設計データに基づいて整形荷電粒子ビームによって回路パターンを対象物の上に露光することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
引用特許：
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