特許

J-GLOBAL ID：200903017801508168

金属酸化物薄膜を有する基板の製造方法

発明者： 佐藤 学
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145783
公開番号（公開出願番号）：特開2000-327311
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：

【要約】【目的】 ゾルゲル法を用いた金属酸化物薄膜のパターン形成工程に起因して発生するパターニング不良等の問題を解決した金属酸化物薄膜を有する基板の製造方法を提供すること。【構成】 基板上に形成したゾルゲル膜を100°C以上400°C以下の温度で熱処理して前駆体皮膜を形成する。次いでフォトリソグラフィにより前駆体皮膜をパターニングする。フォトレジスト層をドライエッチングによって実質的に除去した後、焼成して金属酸化物薄膜を有する基板を得る。

請求項（抜粋）：

以下の(a)〜(e)の工程を含む金属酸化物薄膜を有する基板の製造方法。(a)基板上に金属酸化物となるゾルゲル膜を形成後、100°C以上400°C以下で熱処理して金属酸化物の前駆体皮膜を形成する工程。(b)前駆体皮膜上にフォトレジスト層を形成し、露光・現像してフォトレジスト層上にパターン開口部を形成する工程。(c)前駆体皮膜の露出部をエッチング除去する工程。(d)フォトレジスト層をドライエッチング法にて実質的に除去する工程。(e)前駆体皮膜を熱処理して金属酸化物薄膜を形成する工程。

IPC (3件)：

C01B 13/32 ,  C01G 23/00 ,  C23C 18/12

FI (3件)：

C01B 13/32 ,  C01G 23/00 C ,  C23C 18/12

Fターム (42件)：

4G042DA01 ,  4G042DA02 ,  4G042DB08 ,  4G042DC03 ,  4G042DD02 ,  4G042DD08 ,  4G042DD10 ,  4G042DE09 ,  4G042DE14 ,  4G047CA02 ,  4G047CA05 ,  4G047CB05 ,  4G047CB06 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G047CD07 ,  4G047CD08 ,  4K022BA02 ,  4K022BA04 ,  4K022BA06 ,  4K022BA07 ,  4K022BA08 ,  4K022BA09 ,  4K022BA10 ,  4K022BA11 ,  4K022BA12 ,  4K022BA14 ,  4K022BA15 ,  4K022BA17 ,  4K022BA18 ,  4K022BA20 ,  4K022BA22 ,  4K022BA23 ,  4K022BA24 ,  4K022BA25 ,  4K022BA26 ,  4K022BA27 ,  4K022BA28 ,  4K022BA33 ,  4K022BA35 ,  4K022CA08 ,  4K022DA06