特許

J-GLOBAL ID：200903017801732661

半導体装置の製造方法

発明者： 中野 正 ,  佐藤 伸良 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-162825
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022320
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 基板表面を有機化合物で処理することにより有機化合物の分子を吸収させて表面の活性を一定にすることで、基板下地の表面依存性を解消し、成膜速度を向上させ、基板表面のモルフォロジーを改善し、その均一性を向上せしめんとするものである。【構成】 半導体装置の製造を行う際、金属の化学的気相成長において、気相成長前に基板1の表面を有機化合物あるいはその溶液で表面処理して、成膜が均一に起こり、またモルフォロジーの変動が小さくなるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造に当たり、金属の化学的気相成長において、気相成長前に基板表面を有機化合物あるいはその溶液で処理するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。