特許
J-GLOBAL ID：200903017804337712
高解像度CMOSイメージセンサのためのスタック型ピクセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-157213
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036202
出願日： 2006年06月06日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】固体CMOSイメージセンサ、さらに詳細には、スタックフォトサイト、高感度及び低暗電流を有するCMOSイメージセンサを開示している。【解決手段】ピクセルは、シリコンバルクからフォトダイオードと隣接したシリコン表面に位置した分離された電荷貯蔵構造まで光-発生電荷を転換するように標準フォトサイト下に特殊電位バリアを含む。したがって、本発明のピクセルはその上部に所定の光吸収カラーフィルタなくても2個のカラー-コーディングされる信号を検出する能力を有する。このようなスタックフォトサイトを利用して構成されたイメージセンサは、高いピクセル密度、より高解像度及びより高感度を有する。また、本発明は相違した深くに位置になった電位バリアを有するピクセルをアレイで統合することによって、所定のカラーフィルタない高解像度CMOSカラーイメージセンサを形成することが可能である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ピクセルアレイを含むイメージセンサにおいて、
前記ピクセルアレイの少なくともいずれか1つのピクセルは、
半導体基板の表面下部の第1領域に形成され、光-発生された電荷(photo-generated carriers)を捕集する標準光感知/電荷貯蔵領域と、
前記標準光感知/電荷貯蔵領域と分離され、前記半導体基板の表面に近接した領域に形成されて分離された電荷貯蔵領域と、
前記半導体基板の内部の前記第1領域下部の第2領域で光-発生された電荷を前記分離された電荷貯蔵領域に転換(diverting)するために、前記第1領域と第2領域との間の前記半導体基板の内部に形成された電位バリアと
を含むことを特徴とするイメージセンサ。
IPC (4件)：
H01L 27/146
, H01L 27/14
, H04N 5/335
, H04N 9/07
H01L27/14 A
, H01L27/14 D
, H04N5/335 E
, H04N9/07 A
, H04N5/335 U
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA17
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA27
, 4M118FA28
, 4M118FA33
, 4M118GC08
, 4M118GD04
, 5C024AX01
, 5C024CX37
, 5C024CX41
, 5C024CY04
, 5C024DX01
, 5C024GX03
, 5C024GX14
, 5C024GX16
, 5C024GX22
, 5C024GY39
, 5C024HX17
, 5C065CC01
, 5C065DD15
, 5C065EE06
, 5C065EE07
, 5C065EE09
, 5C065EE10
, 5C065GG15
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示
前のページに戻る
