半導体レーザ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-358945
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274654
出願日： 1990年11月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 (100)面のシリコン基板に斜面が(111)面により形成される溝を形成し、一方の斜面を半導体レーザチップからの出射光を反射させる反射ミラー面とした場合、シリコン基板主面の垂直方向より傾くのを防ぐとともに、レーザ出力検出用フォトダイオードの受光効率を高める。【解決手段】 <110>方向を軸として5〜15°のオフアングルを有する(100)面のシリコン基板20に(111)面により形成される溝を形成し、傾きが45°に近い面を反射ミラー面21とし、この面に対向する側のシリコン基板の主面33の一部を周囲の主面32より低くして凹部を形成し、この反射ミラー面21に対向する面の上端稜線に対して出力面が平行になるように半導体レーザチップ13を固定するとともに、半導体レーザチップ13の後方の段差部にレーザ出力検出用フォトダイオードを形成する。

請求項（抜粋）：

<110>方向を軸として5°〜15°のオフアングルを有する(100)面のシリコン基板の上に、両側の斜面が(111)面により構成される溝が形成され、同溝の斜面のうち前記シリコン基板表面に対する傾きが45°に近い面をレーザ光を反射させる反射ミラー面とし、同反射ミラー面に対向する側の前記シリコン基板の主面の一部を周囲の主面より低くして凹部が形成され、前記反射ミラー面に対向する面の上端稜線に対して半導体レーザチップの前方端面がほぼ平行になるように前記半導体レーザチップが前記シリコン基板の凹部に固定されるとともに、半導体レーザチップが固定されたシリコン基板上の前記半導体レーザチップの後方の凹部の段差部にレーザ出力光検出用フォトダイオードが形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 612 , G11B 7/125 , G11B 7/135

FI (3件)：

H01S 3/18 612 , G11B 7/125 A , G11B 7/135 Z

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