特許
J-GLOBAL ID：200903017814533781

封止フィルムの透過率の改善方法

発明者：
ウォン タエ キュング

ウォン タエ キュング について

, 
ヤダブ サンジァイ

ヤダブ サンジァイ について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 安齋 嘉章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-531097
公開番号（公開出願番号）：特表2009-509036
出願日： 2006年08月02日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
炭素含有材料層を基板上に堆積するための方法は、炭素含有材料層用の前駆体混合物を処理チャンバ内に供給し、炭素含有材料層をケイ素でドープし、炭素含有材料層を低温で堆積することを含む。一態様において、炭素含有材料層の光透過率は可視光スペクトルの全ての波長で改善される。加えて、封止層を堆積するための方法は使用される下層材料の熱安定性不良により低温堆積処理を必要とする様々なディスプレイ用途を対象としている。封止層は1つ以上のバリア層材料層と1つ以上の非晶質炭素材料層を含んでいてもよい。非晶質炭素材料は熱応力を軽減し、堆積した薄層が基板から剥離することを防止するために使用可能である。
請求項（抜粋）：
基板処理システム内に配置された基板上に多層型封止フィルムを形成するための方法であり、 複数のケイ素含有無機バリア層を基板表面上に堆積し、この堆積が第1ケイ素含有化合物を基板処理システムに供給することを含み、 1つ以上の炭素含有材料層を1つ以上のケイ素含有無機バリア層の間に基板温度約200°C以下で堆積し、この堆積が炭素含有化合物、第2ケイ素含有化合物、及び窒素含有化合物を含む前駆体混合物を基板処理システムに供給することを含む多層型封止フィルムの形成方法。
IPC (5件)：
C23C 16/30 ,  C08J 5/18 ,  H05B 33/04 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10
FI (5件)：
C23C16/30 ,  C08J5/18 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10
Fターム (56件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC05 ,  3K107CC23 ,  3K107CC42 ,  3K107EE45 ,  3K107EE48 ,  3K107EE49 ,  3K107EE50 ,  3K107FF06 ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  3K107GG00 ,  3K107GG02 ,  3K107GG28 ,  3K107GG32 ,  4F071AA58 ,  4F071AA65 ,  4F071AA80 ,  4F071AC16 ,  4F071AF08Y ,  4F071AF30Y ,  4F071AF31 ,  4F071AG03 ,  4F071AG16 ,  4F071AG19 ,  4F071AH12 ,  4F071BB11 ,  4F071BC01 ,  4F071BC02 ,  4F071BC12 ,  4F071BC16 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA28 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA37 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB05 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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