特許

J-GLOBAL ID：200903017815413747

半導体のパターン形成方法

発明者： 河本 滋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130895
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330274
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 真空連続プロセスに適用可能な半導体のパターニング方法において、加工表面劣化の無いパターニング方法を提供する。【構成】 GaAs(001)基板101上に、GaAs量子井戸層103を含む層を形成する。次に、厚さ50ÅでIn組成比0.2のInGaAsマスク層105を成長し、その上にGaAs層106を形成する。次に、電子ビーム露光法により電子ビームレジスト107にレジスト開口パターン108を形成する。次に、ドライエッチング法によりレジスト開口パターン108を形成する。次に、レジスト107を除去した後、試料表面全体に電子線109と塩素ガス110を照射する。続いて、試料表面を塩素ガス113のみに晒す。この過程により残留していたGaAs層111、その下のInGaAsマスク層、及びその下のGaAs/AlGaAs量子井戸層がエッチングされる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、前記半導体基板をエッチングするガスによりエッチングされ、かつ電子或いはイオン或いは光と前記ガスとの同時照射後に前記ガスに対するエッチングマスクとなる第1の半導体層を成長する第1の工程と、前記第1の半導体層上に、前記ガスと前記電子或いは前記イオン或いは前記光との同時照射によりエッチングされ、表面に段差を有する第2の半導体層を形成する第2の工程と、前記第2の半導体層上に、前記ガスと前記電子或いは前記イオン或いは前記光とを、前記第1の半導体層が部分的に露出しかつ前記露出部分が前記ガスと前記電子或いは前記イオン或いは前記光との同時照射に晒されかつ前記露出部分以外に前記第2の半導体層が残留する状態まで同時照射する第3の工程と、前記第3の工程の後に、前記ガスを照射する第4の工程とを含むことを特徴とする、半導体のパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/302

FI (4件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 21/302 D ,  H01L 21/302 F