スピンバルブ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河野登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199866
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050609
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】熱によるMR比の低下を防止することができるスピンバルブ素子を提供する。【解決手段】基板1上には主にNi-Fe(パーマロイ),Co,Fe又はNi等の金属磁性材料を積層した磁性自由層2が形成されており、該磁性自由層2上にはCu,Au又はAg等,他層より電気抵抗率が小さい材料を用いた非磁性導電層3,及び前述した金属磁性材料と同じ材料を用いた磁性固定層4がこの順に形成されている。磁性固定層4上には、Fe-Mn又はNiO等を積層した反強磁性層5が形成されている。そして、非磁性導電層3を挟持する磁性自由層2及び磁性固定層4はそれぞれ、金属磁性材料を堆積するときに窒素を取り込ませることによって形成した窒化層22,42と、金属磁性材料のみを積層させた非窒化層21,41を備えており、両窒化層22,42は非磁性導電層3に隣接させてある。

請求項（抜粋）：

反強磁性層と、該反強磁性層の磁化と交換結合した第1磁性層と、非磁性導電層と、外部磁場によって磁化される第2磁性層とがこの順番に形成されているスピンバルブ素子において、前記第1磁性層及び第2磁性層は、前記非磁性導電層に対向する部分が窒化されていることを特徴とするスピンバルブ素子。

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