特許

J-GLOBAL ID：200903017822110555

気相膜の形成方法

発明者： 岡 一宏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203201
公開番号（公開出願番号）：特開平6-025834
出願日： 1992年07月08日
公開日（公表日）： 1994年02月01日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、例えば高エネルギービームによる蒸発を用いた真空蒸着法による気相膜の形成に際して、粗大粒子の発生または粗大粒子の堆積を主体とする膜形成によりピンホールなどの欠陥が形成されるのを抑制し、気相膜を緻密化することにある。【構成】 本発明に係る気相膜の形成方法は、高エネルギービームによる蒸発を用いた真空蒸着法による気相膜の形成方法において、粗大粒子が発生し易い物質を蒸着する際に、ターゲットとして異なる構成成分の前記粗大粒子が発生し易い物質及び完全に蒸気化する物質とを使用することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

高エネルギービームによる蒸発を用いた真空蒸着法による気相膜の形成方法において、粗大粒子が発生し易い物質を蒸着する際に、ターゲットとして異なる構成成分の前記粗大粒子が発生し易い物質及び完全に蒸気化する物質とを使用することを特徴とする気相膜の形成方法。