特許

J-GLOBAL ID：200903017822381109

集積回路の金属相互接続構造を製造する方法

発明者： 王 光誌 ,  金 孝生
出願人/特許権者： 聯瑞積體電路股▲分▼有限公司
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-048054
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049224
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 ICデバイスの品質の劣化をまねく表面の皿状化を起すことなく金属配線構造を形成でき、しかも全体の工程をより簡易なものにすることが可能となる集積回路の金属相互接続構造を製造する方法を提供する。【解決手段】 最初のステップは基板上に絶縁層を形成する。次にトレンチが絶縁層に形成される。続いて第一の障壁層と第二の障壁層が基板と絶縁層の露出した表面に形成されるが、トレンチは埋められない。この後にフォトリソグラフ工程とエッチング工程とが、トレンチ以外の絶縁層の上の第一と第二の障壁層の部分を除去するために実施される。最後に、出来れば銅が好ましいが、金属がトレンチを埋め込むまでトレンチに付着されて望ましい金属配線構造を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に金属相互接続構造を製造する方法において、前記基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層にトレンチを形成する工程と、前記絶縁層の全ての露出された表面に、前記トレンチを埋めることなく第一の障壁層を形成する工程と、前記第一の障壁層の全ての露出された表面に、前記トレンチを埋めることなく第二の障壁層を形成する工程と、前記トレンチが形成される場所以外の前記絶縁層の上にある前記第一及び第二の障壁層の部分を除去する工程と、前記トレンチを埋める金属配線層を形成するために絶縁層の上に金属を付着する工程と、前記絶縁層の表面上にある前記金属配線層の部分を除去して、前記トレンチのなかに付着される残りの部分を望ましい金属相互接続構造として使用するために選択的に除去する工程と、を具備したことを特徴とする金属相互接続構造を製造する方法。