特許

J-GLOBAL ID：200903017829662189

基板処理装置

発明者： 杉浦 忍 ,  笠次 克尚 ,  天野 富大
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-299405
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109907
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】処理基板の半径方向の成膜膜厚の均一性を向上させるものである。【解決手段】基板18を処理する処理室3と、該処理室内で基板を保持するサセプタ7と、該サセプタを加熱するヒータ8と、前記処理室内にガスを供給するガス導入部2と、該ガス導入部に対する前記サセプタの傾きを調整する傾き調整機構26とを具備する。

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、該処理室内で基板を保持するサセプタと、該サセプタを加熱するヒータと、前記処理室内にガスを供給するガス導入部と、該ガス導入部に対する前記サセプタの傾きを調整する傾き調整機構とを具備することを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/68 N

Fターム (30件)：

4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4M104BB01 ,  4M104DD44 ,  4M104HH20 ,  5F031CA02 ,  5F031HA01 ,  5F031HA37 ,  5F031HA53 ,  5F031KA07 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031PA30 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EK07 ,  5F045EK21 ,  5F045EK22 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10