特許

J-GLOBAL ID：200903017830012694

半導体装置

発明者： 早川 誠幸 ,  松岡 史倫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-278151
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130838
出願日： 1993年11月08日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 静電破壊に対して十分な静電耐圧を得ると共に、微細化に対応した素子間分離構造を有する半導体装置を提供することである。【構成】 N型半導体基板11上のPウェル領域12と、Pウェル領域12に設けられたトレンチ素子分離領域13と、Pウェル領域12に形成されかつトレンチ素子分離領域13の内部に設けられると共に互いにPウェル領域12により分離された少なくとも2つ以上のN+領域14とを含み、N+領域14aを接地若しくは電源電位に電気的接続すると共に、N+領域14bを外部との入力若しくは出力電位に電気的に接続する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された一導電型の第1半導体領域と、上記第1半導体領域に設けられたトレンチ素子分離領域と、上記第1半導体領域に形成されかつ上記トレンチ素子分離領域の内部に設けられると共に互いに上記第亜1半導体領域により分離された少なくとも2つ以上の反対導電型の第2半導体領域とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 27/06 311 C ,  H01L 29/72