特許

J-GLOBAL ID：200903017832005954

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松浦 義宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296322
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110854
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 電極パッド上の樹脂層に電極パッドに達する開口を形成する際、電極パッドの突き抜けが生じ、樹脂層上に形成する配線層と電極パッドとの接続不良が生じる。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板表面に設けられた電極パッド上にバンプを形成する工程と、前記基板表面に絶縁材を設ける工程と、前記絶縁材表面に前記バンプを露出させる工程と、前記絶縁材表面に導電性箔を設ける工程と、前記導電性箔をパターンニングして前記バンプに電気的に接続された配線層を形成する工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に設けられた電極パッド上にバンプを形成する工程と、前記基板表面に絶縁材を設ける工程と、前記絶縁材表面に前記バンプを露出させる工程と、前記絶縁材表面に導電性箔を設ける工程と、前記導電性箔をパターンニングして前記バンプに電気的に接続された配線層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60

FI (6件)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/92 602 K ,  H01L 21/92 604 H ,  H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/92 604 J

Fターム (4件)：

5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB13