特許
J-GLOBAL ID：200903017841557838
抵抗器とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-131535
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320806
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 各種電子機器に使用される抵抗器において、熱処理による抵抗皮膜の温度特性の劣化が少ない低抵抗の抵抗器を提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁性基体1の表面に、無電解めっき液によって、Cu-Niの2元合金からなる抵抗体皮膜2を設け、抵抗体皮膜の相対する一対の両端部に外部接続端子3a,3bを設けた抵抗器であり、抵抗体皮膜2にリンなどの不純物を含有しないことにより、低抵抗で温度特性に優れた抵抗器が得られる。
請求項（抜粋）：
2価の銅イオン(Cu2+)と2価のニッケルイオン(Ni2+)と、前記各金属イオンの共通の錯化剤でありかつNi2+に対して錯体形成能力の弱い錯化剤と、銅の還元析出に対して触媒活性を有する還元剤とを基本成分とした無電解めっき液を用いて、絶縁性基体の表面に銅-ニッケル(Cu-Ni)2元合金層からなる抵抗体皮膜を設け、該抵抗体皮膜の相対する一対の両端部に外部接続端子を設けた抵抗器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01C 7/00 B
, H01C 17/06 P
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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