半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223403
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047764
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】多層メタル配線で上層メタル配線の断線を防止する。【構成】下地2上のメタルパターン14,14dは隣接するメタルパターン間のスペース幅Wが一定になるように形成されている。メタル配線を形成しない部分ではダミーメタルパターン14dを残する。層間絶縁膜16はメタルパターン14や14dの隣接するものの間のスペース上で融合して表面が平坦になる厚さに堆積されている。

請求項（抜粋）：

多層メタル配線を有する半導体装置において、少なくとも第1層目のメタル配線層のメタルパターンはスペース幅が一定になるように配置されており、この第1層目メタル配線を被う層間絶縁膜は隣接するメタルパターン間のスペース上で融合して表面が平坦になる厚さに形成されている半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/90

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