気相成長装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-113697
公開番号（公開出願番号）：特開2002-316892
出願日： 2001年04月12日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】膜厚が均一であり、表面欠陥が少なく、しかも反りや亀裂のほとんどない均質かつ良質な窒化物半導体膜を結晶成長できるようにする。【解決手段】本発明のハイドライドVPE装置は、円筒形の反応管1と、その外周に設けられた加熱体2を持ち、反応管1の内部に基板3を載置するサセプタ4が設けられ、サセプタ4の上流には、アンモニアおよび塩化水素の供給経路が設けられ、それぞれのガスがV族ガス導入管5およびIII族ガス導入管6を通じて反応管1内に導入される構成である。アンモニアは口径が円錐状に拡大したV族ガス拡散部7内を拡散して広がり、基板3上に供給される。一方、塩化水素はガリウムを配置したGa溜め8に導かれ、V族ガス拡散部7の頂点部付近に配置された噴射口10より噴射される。

請求項（抜粋）：

反応室と、前記反応室内に設けられた基板保持手段と、前記反応室内にハロゲン化金属ガスと水素化窒素ガスとを導入するガス供給部とを有し、前記基板保持手段は基板を保持し、前記基板はその上に前記ハロゲン化金属ガスと前記水素化窒素ガスとを反応させてできる半導体膜を結晶成長させるものであり、前記ガス供給部は前記反応室へ向かう開口部近傍にガス拡散部を備えた気相成長装置。

IPC (5件)：

C30B 25/14 , C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (5件)：

C30B 25/14 , C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (39件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB05 , 4G077EG03 , 4G077EG24 , 4G077EG25 , 4G077EG28 , 4G077TG06 , 4G077TH06 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD10 , 5F045AD15 , 5F045BB02 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DP03 , 5F045DQ08 , 5F045EB02 , 5F045EC02 , 5F045EE20 , 5F045EF08 , 5F045EF13 , 5F045EK06 , 5F045EM10 , 5F045HA13 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073DA07

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