特許

J-GLOBAL ID：200903017847818366

(フッ化メチル又は二フッ化エチル)と四フッ化炭素と酸素の混合物を使用するシリコン又はシリコン酸化物と共存する窒化シリコンの選択的プラズマエッチング

発明者： シンシア ビー. ブルックス ,  ウォルター メリー ,  アジェイ エム. ジョシ ,  グラディス ディー. クインオネス ,  ジツケ トレヴォア
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-086290
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008223
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 CH3F/CF4/O2レシピ及びCH2F2/CF4/O2レシピのうち少なくとも1つを使用して、シリコン酸化膜(SiO)に対する窒化シリコンの選択比が高い化学的ダウンストリームエッチング(CDE)を達成すること。【解決手段】 入力レシピのそれぞれの成分の流入量をマッピングし、高い窒化物エッチング速度及びSiN材に対する高い選択比の両方を達成する設定を見つける。ピンアップ方式を使用して、裏面窒化物と上面窒化物を同時に剥離する。

請求項（抜粋）：

基本的に窒化シリコンから成る供給された第1材料層をエッチングするためのエッチング方法において、(a)CH3F及びCH2F2のうち少なくとも1つを含み、さらにCF4及びO2を含む入力ガスを前記第1材料層から間隔をおいてその近傍に供給するステップと、(b)供給された入力ガスに電磁エネルギを加えてプラズマを発生させるステップと、(c)発生したプラズマのアウトフローを前記第1材料層に加えるステップとを含むエッチング方法。