半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311406
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161719
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】微細Al配線を形成する方法であり、特に、下地に段差があっても微細Al配線の形成を可能にする。【構成】Al-Cu膜3,TiW膜4,TiON膜5を順次形成する。次に1μm程度のフォトレジスト膜6を塗布し、所望の形状にパターニングした後、フォトレジスト膜6をマスクにTiON膜5とTiW膜4をエッチングする。次にフォトレジスト膜6を除去後、Al-Cu膜3を塩素系ガスを用いエッチングする。その際、TiON膜5も同時にエッチングされ、Al-Cu膜3とTiW膜4の積層配線が形成される。【効果】フォトレジスト膜が薄くてよいので、微細パターンが形成可能であり、焦点深度も大きくなるので、下地に段差があっても微細パターンが形成可能である。

請求項（抜粋）：

Alを主成分とする配線を有する半導体装置の製造方法において、AlあるいはAl合金膜,WあるいはTiW膜,窒化Tiあるいは窒化酸化Ti膜を順次被着する工程と、所望のパターンのフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をマスクに前記窒化Tiあるいは窒化酸化Ti膜と前記WあるいはTiW膜をエッチングする工程と、前記フォトレジスト膜を除去する工程と、AlあるいはAl合金膜をエッチングすると同時に前記窒化Tiあるいは窒化酸化Ti膜を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3213

FI (2件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 D

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