特許
J-GLOBAL ID：200903017856664762
半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196450
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064908
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、2.3eV以上の広いバンドギャップを持つ半導体と金属電極とを低抵抗で均一な接触分布をもつ接合部で接合する事により、良好な特性の半導体素子を提供する事である。【構成】 GaAs基板10上に、Cd(0.3)Zn(0.7)Se歪活性層14を持つZnSe系II-VI族半導体レーザを形成し、p型ZnSe電極バッファ層17とAuZn金属電極20の間にp型InN電極バッファ層18を設けている半導体素子。【効果】 本発明によれば、金属の直接接続では良好なオーム性電極の形成ができない2.3eV以上の広いバンドギャップを持つ半導体と金属電極との間に、両材料に対して低抵抗で均一な接触分布をもつ接合を形成できる窒素を構成元素に含む結晶をバッファー層として挿入する事で良好な接合を形成する事ができる。従って、良好な特性の半導体素子を提供できる。
請求項（抜粋）：
バンドギャップが2.3eV以上の第1の半導体層と金属電極の間に、窒素を構成元素に持つ第2の半導体層を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
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