特許
J-GLOBAL ID：200903017859290260
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-394104
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185813
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【課題】 内部ストライプ構造の導波路損失を適正化できるので、効率の良い実屈折率導波構造を得ることを課題とする。【解決手段】 電流狭窄機能として内部ストライプ構造を備えた半導体レーザ装置において、ストライプ内に等価屈折率の異なる複数の領域が存在し、そのうち、ストライプ内の中央部の等価屈折率n1、ストライプ内の両脇部の等価屈折率n2の関係が、中央部、両脇部の順に大きく(n1>n2)、かつストライプ部を含む水平方向の吸収係数が少なくとも3つ以上の領域に分けられ、ストライプ内中央部の吸収係数α1、ストライプ内の両脇部の吸収係数α2、ストライプ外部の吸収係数α3とすると、α1、α2が共にほぼゼロであり、かつ前記ストライプ内の中央部の領域の幅が光を実屈折率導波させるほど十分に狭いことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
電流狭窄機能として内部ストライプ構造を備えた半導体レーザ装置において、ストライプ内に等価屈折率の異なる複数の領域が存在し、そのうち、ストライプ内の中央部の等価屈折率n1、ストライプ内の両脇部の等価屈折率n2の関係が、中央部、両脇部の順に大きく(n1>n2)、かつストライプ部を含む水平方向の吸収係数が少なくとも3つ以上の領域に分けられ、ストライプ内中央部の吸収係数α1、ストライプ内の両脇部の吸収係数α2、ストライプ外部の吸収係数α3とすると、α1、α2が共にほぼゼロであり、かつ前記ストライプ内の中央部の領域の幅が光を実屈折率導波させるほど十分に狭いことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
前のページに戻る
