特許
J-GLOBAL ID：200903017871347811
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273292
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106428
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 SiCの材料特性を十分に引き出し且つ安定動作可能なSiC縦形FETを実現する。【解決手段】 第一導電型の低抵抗炭化珪素基板1と、前記炭化珪素基板1上にエピタキシャル成長法により形成された炭化珪素の第一導電型高抵抗ドリフト層2と、前記第一導電型高抵抗ドリフト層2の表面層の一部に形成された第二導電型ベース領域7と、前記第二導電型ベース領域7内に形成された第一導電型ソース領域8と、前記第一導電型高抵抗ドリフト層2の表面の一部に選択的に形成されたゲート絶縁膜10及び、表面保護膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極9を有する半導体装置であって、前記ゲート絶縁膜10が第一の絶縁膜3及び、第二の絶縁膜4の順に形成された少なくとも2層の絶縁膜からなり、第一の絶縁膜3の誘電率は酸化シリコンの誘電率より大きく、第二の絶縁膜4のバンドギャップは第一の絶縁膜のバンドギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
第一導電型の低抵抗炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板上に形成された炭化珪素の第一導電型高抵抗ドリフト層と、前記第一導電型高抵抗ドリフト層の表面層の一部に形成された第二導電型ベース領域と、前記第二導電型ベース領域内に形成された第一導電型ソース領域と、前記第一導電型高抵抗ドリフト層の表面の一部に選択的に形成されたゲート絶縁膜及び、表面保護膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を有する半導体装置であって、前記ゲート絶縁膜が第一の絶縁膜及び、第二の絶縁膜の順に形成された少なくとも2層の絶縁膜からなり、第一の絶縁膜の誘電率は酸化シリコンの誘電率より大きく、第二の絶縁膜のバンドギャップは第一の絶縁膜のバンドギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
