半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸山隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-055604
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260062
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】書き込み時にビット線を駆動するための消費電力を低減し、書き込みの高速化を図るスタティックランダムアクセスメモリを提供する。【解決手段】メモリセル100に“0”を書き込むとき、PCをハイレベルにしてビット線D0をフローティングにし、対応する電源スイッチ30をオフにして疑似GND線SS0をフローティングし、対応するイコライズトランジスタ20Lをオンにすることによってビット線D0(初期電位は電源電位Vdd)と疑似GND線SS0(初期電位は接地電位Vss)を電気的に接続する。疑似GND線SS0の電位がビット線と疑似GND線の容量比で決まる電位Veqまで上昇して、メモリセル100はデータ保持能力が低下し、ワード線WL0が立ち上がった時メモリセル100内のラッチが速やかに反転し、書き込み動作が高速に終了する。書き込み終了後に、ビット線D0の電位は初期電位Vddに戻されるが、ビット線D0の電位はVeqまでしか低下していないため、高速かつ低電力でビット線D0の電位はVddに復帰する。

請求項（抜粋）：

マトリックス状に配置された複数のメモリセルのグランド線がビット線と並行して配置されている半導体記憶装置において、前記複数のメモリセルのグランド線を選択的に電気的にフローティングにすることによって疑似グランド線とすることができるフローティング化手段と、1つのメモリセルへデータ書き込みを行う時に前記1つのメモリセルが接続される擬似グランド線と前記メモリセルが接続されるビット線のうち“0”を書き込む側のビット線とを電気的に接続する接続手段とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

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