特許

J-GLOBAL ID：200903017885624192

半導体装置及びその製造方法

発明者： 清水 昭博 ,  大木 長斗司 ,  野中 裕介 ,  一瀬 勝彦
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001005633
公開番号（公開出願番号）：WO2002-043151
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2002年05月30日
要約：

半導体基板の一主面の第1の領域にチャネル形成領域が構成されたnチャネル導電型電界効果トランジスタと、前記半導体基板の一主面の第1の領域と異なる第2の領域にチャネル形成領域が構成されたpチャネル導電型電界効果トランジスタとを有する半導体装置であって、前記nチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力と、前記pチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力とが、各々で異なっている。前記nチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は引っ張り応力であり、前記pチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は圧縮応力である。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面の第1の領域にチャネル形成領域が構成されたnチャネル導電型電界効果トランジスタと、前記半導体基板の一主面の第1の領域と異なる第2の領域にチャネル形成領域が構成されたpチャネル導電界効果トランジスタとを有する半導体装置であって、 前記nチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力と、前記pチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力とが、各々で異なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

FI (6件)：

H01L27/08 321A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/10 681F