特許

J-GLOBAL ID：200903017888362377

赤外線検知器

発明者： 内山 靖仁 ,  藤井 俊夫 ,  梶原 信之 ,  西野 弘師 ,  松倉 祐輔
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-068172
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184512
出願日： 2006年03月13日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】赤外線検知器に関し、量子ドット埋め込み層の成長温度を量子ドットの成長温度に適した温度にしたままで、暗電流となる電子に対する障壁を高くして暗電流を低減する。【解決手段】量子ドット層2を複数積層した赤外線検知部1の積層方向の端部に、量子井戸構造を有する暗電流低減層4を少なくとも一層以上設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

積層された複数の量子ドット層を有する赤外線検知部と、 前記赤外線検知部の積層方向の端部に設けられ、量子井戸構造を有する少なくとも1層の暗電流低減層と、 を有することを特徴とする赤外線検知器。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  G01J 1/02

FI (2件)：

H01L31/10 Z ,  G01J1/02 B

Fターム (10件)：

2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA14 ,  2G065CA30 ,  2G065DA20 ,  5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049QA16 ,  5F049WA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 赤外線センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-051221   出願人：富士通株式会社
• 量子ドット型赤外線検知器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-379709   出願人：富士通株式会社
• 赤外線検知器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-027232   出願人：富士通株式会社

引用文献：

出願人引用 (5件)

• "Quantum-Dot Infrared Photodetectors With p-Type-Doped GaAs Barrier Layers"
• "InAs quantum dot infrared photodetectors with In0.15Ga0.85As strain-relief cap layers"
• "Low dark current quantum-dot infrared photodetectors with an AlGaAs current blocking layer"
• "Ge quantum dots sandwiched between two thick Si blocking layers to block the dark current and tune
• "Uniformly doped InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetectors with AlGaAs current blocking layer"

審査官引用 (1件)

• "Quantum-Dot Infrared Photodetectors With p-Type-Doped GaAs Barrier Layers"